GaN HEMT trap-induced variability through concurrent noise and AC TCAD modelling
Author:
Affiliation:
1. Politecnico di Torino,DET Department,Torino,Italy
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10472738/10472739/10472744.pdf?arnumber=10472744
Reference10 articles.
1. GaN-Based RF Power Devices and Amplifiers
2. Reliability of GaN High-Electron-Mobility Transistors: State of the Art and Perspectives
3. Temperature-Independent Current Dispersion in 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for 5G Applications
4. Experimental Characterization of Charge Trapping Dynamics in 100-nm AlN/GaN/AlGaN-on-Si HEMTs by Wideband Transient Measurements
5. Localization of Trapping Effects in GaN HEMTs with Pulsed S-parameters and Compact Models
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