Intel 22nm Low-Power FinFET (22FFL) Process Technology for 5G and Beyond
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9060424/9075871/09075914.pdf?arnumber=9075914
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1. SiGe/Si Superlattice Ferroelectric HfZrO2 ΩFET and CMOS Inverter With SSmin,n = 62.4 mV/dec, ION/IOFF > 1.0 × 107, and Voltage Gain = 111.4 V/V;IEEE Electron Device Letters;2024-02
2. Radio frequency FinFET bulk silicon technology;New Materials and Devices Enabling 5G Applications and Beyond;2024
3. Introduction to 5G applications and beyond;New Materials and Devices Enabling 5G Applications and Beyond;2024
4. Review of the Nanoscale FinFET Device for the Applications in Nano-regime;Current Nanoscience;2023-09
5. Impact of TSV bump and redistribution layer on crosstalk delay and power loss;Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems;2023-07
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