Scatterometry Critical Dimension Solution for Gate All Around Sheet-Specific Metrology: Topic/category: Advanced Metrology
Author:
Affiliation:
1. KLA Corporation
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10545359/10545360/10545517.pdf?arnumber=10545517
Reference17 articles.
1. A Review of the Gate-All-Around Nanosheet FET Process Opportunities
2. A Novel Dry Selective Etch of SiGe for the Enablement of High Performance Logic Stacked Gate-All-Around NanoSheet Devices
3. Threshold Voltage Variability in Nanosheet GAA Transistors
4. Impact of LER on Mismatch in Nanosheet Transistors for 5nm-CMOS
5. Grain-Orientation Induced Work Function Variation in Nanoscale Metal-Gate Transistors—Part I: Modeling, Analysis, and Experimental Validation
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