From 2D-planar to 3D-non-planar device architecture: A scalable path forward?
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Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6648471/6658393/06658477.pdf?arnumber=6658477
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1. Design and Performance Analysis of 3-Fin 08 nm Physical Gate Length SOI FinFETs Employing Gate Stacked High-K Dielectrics;2023 IEEE 3rd International Conference on Applied Electromagnetics, Signal Processing, & Communication (AESPC);2023-11-24
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