Scaled T-Gate β-Ga2O3 MESFETs With 2.45 kV Breakdown and High Switching Figure of Merit

Author:

Dryden Daniel M.1ORCID,Liddy Kyle J.2,Islam Ahmad E.2,Williams Jeremiah C.2,Walker Dennis E.2,Hendricks Nolan S.2,Moser Neil A.2ORCID,Arias-Purdue Andrea3ORCID,Sepelak Nicholas P.1,DeLello Kursti4,Chabak Kelson D.2ORCID,Green Andrew J.2

Affiliation:

1. KBR, Inc., Beavercreek, OH, USA

2. Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Dayton, OH, USA

3. Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA

4. Department of Applied and Engineering Physics, Cornell University, Ithaca, NY, USA

Funder

Air Force Research Laboratory

AFOSR/Cornell Center of Excellence

Publisher

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

Subject

Electrical and Electronic Engineering,Electronic, Optical and Magnetic Materials

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