a DC-DC boost converter based on SiC MOSFET and SiC SBD
Author:
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/6108454/6117556/06117660.pdf?arnumber=6117660
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1. TCAD Analysis of Single-Event Burnout Hardness for an Improved CoolSiC Trench MOSFET;IEEE Transactions on Electron Devices;2024-08
2. Loss analysis and optimum design of a highly efficient and compact CMOS DC–DC converter with novel transistor layout using 60 nm multipillar-type vertical body channel MOSFET;Japanese Journal of Applied Physics;2018-03-16
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