First Demonstration of heterogenous Complementary FETs utilizing Low-Temperature (200 °C) Hetero-Layers Bonding Technique (LT-HBT)

Author:

Hong T.-Z.,Chang W.-H.,Agarwal A.,Huang Y.-T.,Yang C.-Y.,Chu T.-Y.,Chao H.-Y.,Chuang Y.,Chung S.-T.,Lin J.-H.,Luo S.-M.,Tsai C.-J.,Li M.-J.,Yu X.-R.,Lin N.-C.,Cho T.-C.,Sung P.-J.,Su C.-J.,Luo G.-L.,Hsueh F.-K.,Lin K.-L.,Ishii H.,Irisawa T.,Maeda T.,Wu C.-T.,Ma W. C.-Y.,Lu D.-D.,Kao K.-H.,Lee Y.-J.,Chen H. J.-H.,Lin C.-L.,Chuang R. W.,Huang K.-P.,Samukawa S.,Li Y.-M.,Tarng J.-H.,Chao T.-S.,Miura M.,Huang G.-W.,Wu W.-F.,Li J.-Y.,Shieh J.-M.,Wang Y.-H.,Yeh W.-K.

Funder

Ministry of Science and Technology

Publisher

IEEE

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