Hot Carrier Dynamics and Electrical Breakdown Analysis in 2D Transition Metal Dichalcogenide FETs
Author:
Affiliation:
1. Indian Institute of Science,MSDLab,Department of Electronic Systems Engineering,Bangalore,India,560012
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10529283/10529298/10529469.pdf?arnumber=10529469
Reference13 articles.
1. Anisotropy of impact ionization in WSe2 field effect transistors
2. Two-Dimensional Thickness-Dependent Avalanche Breakdown Phenomena in MoS2 Field-Effect Transistors under High Electric Fields
3. Impact ionization by hot carriers in a black phosphorus field effect transistor
4. Channel-Length-Modulated Avalanche Multiplication in Ambipolar WSe2 Field-Effect Transistors
5. Controlled MoS2 layer etching using CF4 plasma
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