A Stacked Doherty Power Amplifier For Ka-Band Space Applications
Author:
Affiliation:
1. University of Roma Tor Vergata,E.E.Dept.,Roma,Italy
2. Politecnico di Torino,Department of Electronics and Telecommunications,Torino,Italy
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10321701/10321765/10321793.pdf?arnumber=10321793
Reference14 articles.
1. Thermal-aware GaN/Si MMIC design for space applications
2. Electro-magnetic Crosstalk Effects in a Millimeter-wave MMIC Stacked Cell
3. An Ultra-Broadband GaN Doherty Amplifier with 83% of Fractional Bandwidth
4. Design Procedure for Integrated Microwave GaAs Stacked-FET High-Power Amplifiers
5. Analysis and Design of Stacked-FET Millimeter-Wave Power Amplifiers
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