Linearity Behavior of a Pocket Doped p-type Ground Plane FDSOI: Impact of Back Biasing
Author:
Affiliation:
1. IIITDM Kancheepuram,Department of ECE,Chennai,India,600127
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9776592/9776648/09776790.pdf?arnumber=9776790
Reference20 articles.
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3. RF Characteristics of Two Generations of RFeSI HR-SOI Substrates Over Temperature
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