Effects of Channel Thickness on DC/RF Performance of InAlGaN/AlN/GaN HEMTs
Author:
Affiliation:
1. National Central University,Taoyuan,Taiwan
2. Industrial Technology Research Institute,Hsinchu,Taiwan
3. Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10546337/10546338/10546352.pdf?arnumber=10546352
Reference10 articles.
1. Achieving high electron mobility in AlInGaN/GaN heterostructures: The correlation between thermodynamic stability and electron transport properties
2. 220-GHz Quaternary Barrier InAlGaN/AlN/GaN HEMTs
3. InAlGaN/GaN HEMTs at Cryogenic Temperatures
4. Trap states analysis in AlGaN/AlN/GaN and InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors
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