Mécanismes de croissance des faces {001} exactes et désorientées de GaAs par la méthode aux chlorures sous H2 : diffusion superficielle, croissance par spirale, mécanismes de désorption HCl et GaCl3
Author:
Publisher
EDP Sciences
Subject
General Engineering,Statistical and Nonlinear Physics
Link
http://jp1.journaldephysique.org/10.1051/jp1:1997208/pdf
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