Author:
Дружинін А., ,Когут І.,Островський І.,Ховерко Ю.,Мороз А., , ,
Abstract
Стаття присвячена вивченню особливостей перенесення носіїв заряду полікристалічних плівках в КНІ-структурах, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал-діелектрик. Досліджено магнетоопір полікремнію в КНІ-структурах під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Проведено детальний аналіз результатів досліджень магніто–транспортних властивостей полі-Si. Встановлено, що за низькотемпературного перенесення носіїв заряду в полікристалічних плівках присутня стрибкова провідність, параметри якої можуть бути оцінені за сильної спін-орбітальної взаємодії в рамках теорії слабкої локалізації.
Publisher
Lviv Polytechnic National University
Reference26 articles.
1. A novel voltammetric sensor based on gold nanoparticles involved in p-aminothiophenol functionalized multi-walled carbon nanotubes: Application to the simultaneous determination of quercetin and rutin;Lutfi Yola;Electrochem Acta Vol,2014
2. [2]. O. Moutanabbir, M. Reiche, A. Hahnel et al., (2007), "Nanoscale patterning induced strain redistribution in ultrathin strained Si layers on oxide," Nanotechnology Vol.21, 2010, p.13403
3. [3]. E. Sicard, S. Delmas Bendhia. Advanced CMOS cell design. McGraw-Hill, New-York. P.383
4. The Device-Technological Simulation of The Field-Emission Micro-Cathods Based on Three-Demensional SOI-Structures;A.Druzhinin;ECS Transactions Vol 14 № 1,2008
5. [5]. V.Holota, I.Kogut, A.Druzhinin, Y.Khoverko, (2014), "High sensitive active MOS photodetector on the local 3D SOI-structure," Advanced Materials Research, Vol. 854, pр. 45-47