Electronic Properties of Strained Si/SiGe and Si1-yCy Alloys
Author:
Publisher
CRC Press
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http://www.crcnetbase.com/doi/pdf/10.1201/9781420066869.ch10
Reference45 articles.
1. The Ge−Si (Germanium-Silicon) system
2. Intrinsic Optical Absorption in Germanium-Silicon Alloys
3. Measurement of the band gap of GexSi1−x/Si strained‐layer heterostructures
4. Bandgap and transport properties of Si/sub 1-x/Ge/sub x/ by analysis of nearly ideal Si/Si/sub 1-x/Ge/sub x//Si heterojunction bipolar transistors
5. Indirect band gap of coherently strainedGexSi1−xbulk alloys on〈001〉silicon substrates
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