1. 1. D. Ha, C. Yang, J. Lee, S. Lee, S. H. Lee, K.-I. Seo, H. S. Oh, E. C. Hwang, S. W. Do, S. C. Park, M.-C. Sun, D. H. Kim, J. H. Lee, M. I. Kang, S.- S. Ha, D. Y. Choi, H. Jun, H. J. Shin, Y. J. Kim, J. Lee, C. W. Moon, Y. W. Cho, S. H. Park, Y. Son, J. Y. Park, B. C. Lee, C. Kim, Y. M. Oh, J. S. Park, S. S. Kim, M. C. Kim, K. H. Hwang, S. W. Nam, S. Maeda, D.-W. Kim, J.-H. Lee, M. S. Liang, and E. S. Jung, Proc. Symp. VLSI Tech., (2017) T6-1.
2. 2. A. Heya, A. Masuda, and H. Matsumura, Appl. Phys. Lett., 74 (1999) 2143.
3. 3. A. Heya and N. Matsuo, Jpn. J. Appl. Phys., 46 (2007) 3545.
4. 4. A. Heya and N. Matsuo, Jpn. J. Appl. Phys., 46 (2007) L709.
5. 5. A. Heya and N. Matsuo, Jpn. J. Appl. Phys., 47 (2008) 266.