1. Mitard J. Shea C. De Jaeger B. Pristera A. Wang G. Houssa M. Eneman G. Hellings G. Wang W. Lin J. Leys F. Loo R. Winderickx G. Vrancken E. Stesmans A. De Meyer K. Caymax M. Pantisano L. Meuris M. Heyns M. , 2009 Symposium on VLSI Technology, Digest of Technical Papers p. 82.
2. Lee C. H. Nishimura T. Tabata T. Wang S. K. Nagashio K. Kita K. Toriumi A. , Tech. Dig. IEEE Int. Electron Device Meet. (IEDM) 2010, p. 416.
3. See, e.g., Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. (IEDM) 2008, pp. 389–412 and 857–949.
4. See, e.g., ECS Trans., 16(10) (2008).
5. Krishnamohan T. Kim D. Dinh T. V. Pham A.-t. Meinerzhagen B. Jungemann C. Saraswat K. , Tech. Dig. IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) 2008, p. 899.