Editors' Choice—Vertically Integrated Nanowire-Based Zero-Capacitor Dynamic Random Access Memory
Author:
Publisher
The Electrochemical Society
Subject
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference27 articles.
1. 20nm DRAM: A new beginning of another revolution
2. A capacitor-less 1T-DRAM cell
3. Effects of fin width on memory windows in FinFET ZRAMs
4. Vertically Integrated Multiple Nanowire Field Effect Transistor
5. Device scaling limits of Si MOSFETs and their application dependencies
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. A Comprehensive Study of a Single-Transistor Latch in Vertical Pillar-Type FETs With Asymmetric Source and Drain;IEEE Transactions on Electron Devices;2018-11
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