1. C. H. Huang, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen, C. X. Zhu, B. J. Cho, M.-F. Li, and D. L. Kwong ,VLSI Technical Digest, p. 119 (2003).
2. A TaN–<tex>$hbox HfO_2$</tex>–Ge pMOSFET With Novel<tex>$hbox SiH_4$</tex>Surface Passivation
3. B. De Jaeger, M. Houssa, A. Satta, S. Kubicek, P. Verheyen, J. Van Steenbergen, J. Croon, B. Kaczer, S. Van Elshocht, A. Delabie, E. Kunnen, E. Sleeckx, I. Teerlinck, R. Lindsay, T. Schram, T. Chiarella, R. Degraeve, T. Conard, J. Poortmans, G. Winderickx, W. Boullart, M. Schaekers, P. W. Mertens, M. Caymax, W. Vandervorst, E. Van Moorhem, S. Biesemans, K. De Meyer, L. Ragnarsson, S. Lee, G. Kota, G. Raskin, P. Mijlemans, J.-L Autran, V. Afanas’ev, A. Stesmans, M. Meuris, and M. Heyns , inProceedings of ESSDERC, p. 189 (2004).