1. Ahn S. J. Hwang Y. N. Song Y. J. Lee S H. Lee S. Y. Park J. H. Jeong C. W. Ryoo K. C. Shin J. M. Park J. H. Fai Y. Oh J. H. Koh G. H. Jeong G. T. Joo S. H. Choi S. H. Son Y. H. Shin J. C. Kim Y. T. Jeong H. S. Kim K. , Symp. VLSI Technology Dig. Tech., P. 91 (2005).
2. Oh J. H. Park J. H. Lim Y. S. Lim H. S. Oh Y. T. Kim J. S. Shin J. M. Park J. H. Song Y. J. Ryoo K. C. Lim D. W. Park S. S. Kim J. I. Kim J. H. Yu J. Yeung F. Jeong C. W. Kong J. H. Kang D. H. Koh G. H. Jeong G. T. Jeong H. S. Kim K. , Electron Devices Meeting (2006).
3. Zhang K. L. Liu Q. B. Song Z. T. Feng S. L. Chen B. , in Proceedings of 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, p. 821 (2006).
4. Effect of Alkaline Agent on Polishing Rate of Nitrogen-Doped Ge[sub 2]Sb[sub 2]Te[sub 5] Film in Chemical Mechanical Polishing
5. Effect of abrasive material properties on polishing rate selectivity of nitrogen-doped Ge2Sb2Te5to SiO2film in chemical mechanical polishing