Rapid Thermal Annealing And Solid Phase Epitaxy Of Ion Implanted InP
Author:
Affiliation:
1. University of California (United States)
2. Stanford University (United States)
Publisher
SPIE
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1. Semiconductor lasers for planar integrated optoelectronics;Solid-State Electronics;2000-01
2. In situ defect studies on Si+implanted InP;Journal of Physics D: Applied Physics;1990-07-14
3. Retardation of implantation damage annealing in InP due to local nonstoichiometry;Journal of Applied Physics;1990-02-15
4. Iron redistribution and compensation mechanisms in semi‐insulating Si‐implanted InP;Journal of Applied Physics;1989-02
5. Electrochemical Profiling of Ion‐Implanted InP;Journal of The Electrochemical Society;1987-09-01
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