Sensitivity study and parameter optimization of OCD tool for 14nm finFET process
Author:
Affiliation:
1. Raintree Scientific Instruments (Shanghai) Corp. (China)
Publisher
SPIE
Reference13 articles.
1. Sub 50-nm finfet: Pmos,;Huang,1999
2. FinFET-a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm
3. A 16 nm 128 Mb SRAM in High- $\kappa$ Metal-Gate FinFET Technology With Write-Assist Circuitry for Low-VMIN Applications
4. Manufacturing considerations for implementation of scatterometry for process monitoring
5. Critical Dimension Measurement Using OCD Spectroscopy for Gate and STI AEI Structures
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