Negative-tone imaging with EUV exposure toward 13nm hp

Author:

Tsubaki Hideaki1,Nihashi Wataru1,Tsuchihashi Toru1,Yamamoto Kei1,Goto Takahiro1

Affiliation:

1. FUJIFILM Corp. (Japan)

Publisher

SPIE

Reference35 articles.

1. ITRS, The International Technology Roadmap for Semiconductors (2013).

2. Critical challenges for EUV resist materials;Naulleau,2011

3. EUV resist performance: current assessment for sub-22 nm half-pitch patterning on NXE:3300;Wallow,2012

4. Evaluation of EUV resist materials for use at the 32 nm half-pitch node;Wallow,2008

5. EUV resist materials design for 15 nm hp and below;Tsubaki,2012

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