Evaluation of surface recombination of SiC for development of bipolar devices
Author:
Affiliation:
1. Nagoya Institute of Technology (Japan)
Publisher
SPIE
Reference22 articles.
1. Status and Prospects of SiC Power Devices,;Bakowski,2006
2. Evaluation of long carrier lifetimes in thick 4H silicon carbide epitaxial layers,;Miyazawa,2010
3. Optical characterization of excess carrier lifetime and surface recombination in 4H/6H-SiC,;Galeckas,2001
4. Recombination processes controlling the carrier lifetime in n−4H–SiC epilayers with low Z1/2 concentrations
5. Impacts of recombination at the surface and in the substrate on carrier lifetimes of n-type 4H–SiC epilayers
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