Deep levels and conduction processes in nitrogen-implanted Ga2O3 Schottky barrier diodes
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SPIE
Reference15 articles.
1. Guest Editorial: The dawn of gallium oxide microelectronics
2. Recent progress in Ga2O3power devices
3. Acceptor doping of β-Ga2O3 by Mg and N ion implantations
4. Stability and degradation of isolation and surface in Ga2O3 devices
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