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Growth of InP epitaxial layers by rapid thermal low pressure metalorganic chemical vapor deposition, using tertiarybutylphosphine

  • Published:1993-11-22 Issue:21 Volume:63 Page:2958-2960
  • ISSN:0003-6951
  • Container-title:Applied Physics Letters
  • language:en
  • Short-container-title:Appl. Phys. Lett.

Author:

Katz A.,Feingold A.,Moriya N.,Nakahara S.,Abernathy C. R.,Pearton S. J.,El‐Roy A.,Geva M.,Baiocchi F. A.,Luther L. C.,Lane E.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Rapid thermal low-pressure metal organic chemical vapor deposition of Fe-doped InP layers;Applied Physics Letters;2002-01-21

2. Rapid thermal metalorganic chemical vapor deposition of CdTe;Journal of Crystal Growth;1997-08

3. Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition;Rapid Thermal Processing of Semiconductors;1997
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