Photon emission from metal‐oxide‐semiconductor capacitors under fast‐ramp conditions
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.343668
Reference15 articles.
1. MOS Avalanche and Tunneling Effects in Silicon Surfaces
2. HOT ELECTRON EMISSION FROM SILICON INTO SILICON DIOXIDE BY SURFACE AVALANCHE
3. Characterization of metal‐oxide‐semiconductor capacitors with a fast‐ramp technique
4. Dynamic current oscillations in a metal‐oxide‐semiconductor surface potential well
5. An experimental study of a metal‐oxide‐semiconductor photomultiplier
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Graphene Field-Effect-Coupled Detection of Avalanche Multiplication in Silicon;IEEE Transactions on Electron Devices;2023-05
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