Reassessment of the assignment of the InM2+3+VM2+defect in CdTe and ternary II‐VI compounds
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.360207
Reference17 articles.
1. Orientation of the electric‐field gradient arising from a vacancy in Hg0.79Cd0.21Te
2. Annealing of indium‐implanted CdTe
3. Evidence for In-defect complexes in CdTe
4. PAC Study of the Acceptor Li in II-VI Semiconductors
5. Characterisation of ZnSe and other II–VI semiconductors by radioactive dopants
Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Dopant Content and Thermal Treatment of ${\rm Cd} _{1-{\rm x}} {\rm Zn} _{\rm x} {\rm Te} \langle {\rm In}\rangle $: Effects on Point-Defect Structures;IEEE Transactions on Nuclear Science;2009-08
2. Perturbed-angular-correlation studies of In-vacancy pairs in Hg1−xCdxTe;Journal of Applied Physics;1999-10
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