1. Y. K. Lee, Y. Song, J. C. Kim, S. C. Oh, B. J. Bae, S. H. Lee, J. H. Lee, U. H. Pi, B. Seo, H. Jung, K. Lee, H. C. Shin, H. Jung, M. Pyo, A. Antonyan, D. Lee, S. Hwang, D. Jang, Y. Ji, S. Lee, J. Lim, K. H. Koh, K. Hwang, H. Hong, K. Park, G. Jeong, J. S. Yoon, and E. S. Jung, 2018 Sympo VLSI Tech., pp 181–182.
2. G. Jan, L. Thomas, S. Le, Y. J. Lee, H. Liu, J. Zhu, J. Iwata-Harms, S. Patel, R. Y. Tong, V. Sundar, S. Serrano-Guisan, D. Shen, R. He, J. Haq, Z. J. Teng, V. Lam, Y. Yang, Y. J. Wang, T. Zhong, H. Fukuzawa, and P. K. Wang, 2018 Sympo VLSI Tech., pp 65–66.
3. Perpendicular switching of a single ferromagnetic layer induced by in-plane current injection
4. Spin-Torque Switching with the Giant Spin Hall Effect of Tantalum
5. A spin–orbit torque switching scheme with collinear magnetic easy axis and current configuration