Physical parameters of Au–n-InP structures
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.370533
Reference24 articles.
1. The electrical and photovoltaic properties of tunnel metal‐oxide‐semiconductor devices built onn‐InP substrates
2. A new method to fabricate Au/n-type InP Schottky contacts with an interfacial layer
3. Ytterbium metal-insulator-semiconductor contacts to indium phosphide
4. High‐barrier height metal‐insulator‐semiconductor diodes onn‐InP
Cited by 4 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
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