Response to ‘‘Comment on ‘Laser‐induced degradation of GaAs photoluminescence’ ’’ [Appl. Phys. Lett.53, 927 (1988)]
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
Physics and Astronomy (miscellaneous)
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.100073
Reference6 articles.
1. Comment on ‘‘Laser‐induced degradation of GaAs photoluminescence’’ [Appl. Phys. Lett.52, 625 (1988)]
2. Correlations of photoluminescence with defect densities in semi-insulating gallium arsenide
3. Theory of recombination-enhanced defect reactions in semiconductors
4. Quantitative measurements of recombination enhanced dislocation glide in gallium arsenide
5. Degradation in GaAs/AlGaAs double‐heterostructure light‐emitting diodes
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