Retraction: “Direct imaging of Si incorporation in GaAs masklessly grown on patterned Si substrates” [Appl. Phys. Lett. 58, 2090 (1991)]
Author:
Affiliation:
1. Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik I 1 , Hardenbergstrasse 36, D-1000 Berlin 12, Germany
2. Research Laboratory, OKI Electric Industries Co., Ltd. 2 , 550–5, Higashiasakawa, Hachioji, Tokyo 193, Japan
Publisher
AIP Publishing
Subject
Physics and Astronomy (miscellaneous)
Link
https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.0146966/18014563/259901_1_5.0146966.pdf
Reference2 articles.
1. Direct imaging of Si incorporation in GaAs masklessley grown on patterned Si substrates;Appl. Phys. Lett.,1991
2. Cathodoluminescence of strained quantum wells and layers;Superlattices Microstruct.,1991
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