Depletion-mode GaAs metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with HfO2 dielectric and germanium interfacial passivation layer

Author:

Kim Hyoung-Sub,Ok Injo,Zhang Manhong,Lee T.,Zhu F.,Yu L.,Lee Jack C.,Koveshnikov S.,Tsai W.,Tokranov V.,Yakimov M.,Oktyabrsky S.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Reference14 articles.

1. Molecular Beam Epitaxy Conference;Yang B.,2002

2. IEEE GaAs Digest;Yang B.,2002

3. 19th Symposium on Technical Digest GaAs IC;Ren F.,1997

4. IEEE International Symposium on Compound Semiconductor;Hong M.,1997

5. GaAs metal–oxide–semiconductor field-effect transistor with nanometer-thin dielectric grown by atomic layer deposition

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