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Photoluminescence properties of a single GaN nanorod with GaN∕AlGaN multilayer quantum disks

  • Published:2007-03-05 Issue:10 Volume:90 Page:101901
  • ISSN:0003-6951
  • Container-title:Applied Physics Letters
  • language:en
  • Short-container-title:Appl. Phys. Lett.

Author:

Yi S. N.,Na Jong H.,Lee Kwan H.,Jarjour Anas F.,Taylor Robert A.,Park Y. S.,Kang T. W.,Kim S.,Ha D. H.,Andrew G.,Briggs D.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

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1. Selective Area Epitaxy of GaN Nanowires on Si Substrates Using Microsphere Lithography: Experiment and Theory;Nanomaterials;2022-07-08

2. Molecular beam epitaxy (MBE) growth of nitride semiconductors;Nitride Semiconductor Light-Emitting Diodes (LEDs);2018

3. Bibliography;Swift Ion Beam Analysis in Nanosciences;2017-08-25

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5. Oxide-Semiconductor-Based TFTs for Displays and Flexible Electronics;ECS Transactions;2013-03-15
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