Selective growth of silicon‐germanium alloys by atmospheric‐pressure chemical vapor deposition at low temperatures

Author:

Agnello P. D.,Sedgwick T. O.,Goorsky M. S.,Ott J.,Kuan T. S.,Scilla G.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

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1. A Brief History of the Field;Circuits and Applications Using Silicon Heterostructure Devices;2007-12-13

2. A Brief History of the Field;Measurement and Modeling of Silicon Heterostructure Devices;2007-12-13

3. A Brief History of the Field;Silicon Heterostructure Devices;2007-12-13

4. A Brief History of the Field;Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology;2007-12-13

5. A Brief History of the Field;SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices;2007-12-13

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