1. G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, and C. Spinella, J. Appl. Phys. 81, 2784 (1997); S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, and A. Lacaita, Appl. Phys. Lett. 73, 93 (1998).
2. N. A. Sobolev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 1153 (1995) [Semiconductors 29, 595 (1995)].
3. M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 78, 210 (2001).
4. A. Reittinger, G. Stimmer, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 70, 2431 (1997).
5. V. P. Kuznetsov, D. Yu. Remizov, V. N. Shabanov, R. A. Rubtsova, M. V. Stepikhova, D. I. Kryzhkov, A. N. Shushunov, O. V. Belova, Z. F. Krasil’nik, and G. A. Maksimov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 40, 868 (2006) [Semiconductors 40, 846 (2006)].