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Model of the pair phosphorus atom-interstitial silicon atom

  • Published:1998-11 Issue:11 Volume:40 Page:1806-1808
  • ISSN:1063-7834
  • Container-title:Physics of the Solid State
  • language:en
  • Short-container-title:Phys. Solid State

Author:

Chelyadinskii A. R.,Burenkov V. A.

Publisher

Pleiades Publishing Ltd

Subject

Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Dopants;Computational Microelectronics;2004

2. Intrinsic Point Defects;Computational Microelectronics;2004

3. Defect-impurity engineering in implanted silicon;Physics-Uspekhi;2003-08-31
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