1. Zh. I. Alferov, Rev. Mod. Phys. 73, 767 (2001).
2. H. Temkin, D. Coblentz, R. A. Logan, J. M. Vandenberg, R. D. Yadvish, and A. M. Sergent, Appl. Phys. Lett. 63, 2321 (1994).
3. L. V. Asryan and R. A. Suris, Semicond. Sci. Technol. 11, 554 (1996).
4. L. J. Mawst, A. Bhattacharya, J. Lopez, D. Botez, D. Z. Garbuzov, L. DeMarco, J. C. Connolly, M. Jansen, F. Fang, and R. F. Nabiev, Appl. Phys. Lett. 69, 1532 (1996).
5. D. A. Vinokurov, S. A. Zorina, V. A. Kapitonov, A. V. Murashova, D. N. Nikolaev, A. L. Stankevich, M. A. Khomylev, V. V. Shamakhov, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, T. A. Nalet, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, N. V. Fetisova, and I. S. Tarasov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 388 (2005) [Semiconductors 39, 370 (2005)].