Gate tunable photovoltaic effect in MoS2 vertical p–n homostructures

Author:

Svatek Simon A.12345ORCID,Antolin Elisa678910,Lin Der-Yuh111213,Frisenda Riccardo12345,Reuter Christoph14151617,Molina-Mendoza Aday J.181920214,Muñoz Manuel2245,Agraït Nicolás12345,Ko Tsung-Shine111213,de Lara David Perez12345,Castellanos-Gomez Andres12345

Affiliation:

1. Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia (IMDEA-Nanociencia)

2. Faraday 9

3. Ciudad Universitaria de Cantoblanco

4. Madrid

5. Spain

6. Instituto de Energía Solar

7. Universidad Politécnica de Madrid

8. E.T.S.I. Telecomunicación

9. Ciudad Universitaria s/n Madrid

10. Madrid 28040

11. National Changhua University of Education

12. Changhua City 500

13. Republic of China

14. Department of Electrical Engineering and Information Technology

15. Technische Universität Ilmenau

16. Ilmenau 98693

17. Germany

18. Departamento de Física de la Materia Condensada and Condensed Matter Physics Center (IFIMAC)

19. Facultad de Ciencias

20. C/ Francisco Tomás y Valiente 7

21. Universidad Autónoma de Madrid

22. Instituto de Microelectrónica de Madrid (CNM, CSIC)

Abstract

J–V characteristics of few-layer all-MoS2 p–n junctions and their gate modulation are thoroughly analysed.

Publisher

Royal Society of Chemistry (RSC)

Subject

Materials Chemistry,General Chemistry

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