Enhanced field emission of p-type 3C-SiC nanowires with B dopants and sharp corners

Author:

Yang Yang12345,Yang Hao456,Wei Guodong456,Wang Lin456,Shang Minghui456,Yang Zuobao456,Tang Bin123,Yang Weiyou456

Affiliation:

1. Research Institute of Surface Engineering

2. Taiyuan University of Technology

3. Taiyuan City 030024, P. R. China

4. Institute of Materials

5. Ningbo University of Technology

6. Ningbo City 315016, P. R. China

Abstract

We report the enhanced field emission of B-doped SiC nanowires with a low turn-on field and enhanced high-temperature stability.

Publisher

Royal Society of Chemistry (RSC)

Subject

Materials Chemistry,General Chemistry

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