Cobalt silicide formation on 6H silicon carbide-Reference-Cited by-同舟云学术

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Cobalt silicide formation on 6H silicon carbide

Published:1999-05-01 Issue:3 Volume:6 Page:188-189
ISSN:0909-0495
Container-title:Journal of Synchrotron Radiation
language:
Short-container-title:J Synchrotron Radiat

Author:

Porto A. O.,Boyanov B. I.,Sayers D. E.,Nemanich R. J.

Publisher

International Union of Crystallography (IUCr)

Subject

Instrumentation,Nuclear and High Energy Physics,Radiation

Link

http://journals.iucr.org/s/issues/1999/03/00/mj4155/mj4155.pdf

Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Structure of Co deposited 6H–SiC(0001);Surface Science;2005-12

2. Growth of epitaxial CoSi2 on 6H-SiC(0001)Si;Journal of Applied Physics;2001-12-15

3. Formation of cobalt disilicide films on(3×3)6H−SiC(0001);Physical Review B;2001-03-01

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