Strain-Induced Band Gap Engineering in Selectively Grown GaN–(Al,Ga)N Core–Shell Nanowire Heterostructures-Reference-Cited by-同舟云学术

Strain-Induced Band Gap Engineering in Selectively Grown GaN–(Al,Ga)N Core–Shell Nanowire Heterostructures

Author:

Hetzl Martin¹,Kraut Max¹,Winnerl Julia¹,Francaviglia Luca²,Döblinger Markus³,Matich Sonja¹,Fontcuberta i Morral Anna²,Stutzmann Martin¹

Affiliation:

1. Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universität München, 85748 Garching, Germany

2. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 1015 Lausanne, Switzerland

3. Department of Chemistry, Ludwig-Maximilians-Universität München, 81377 Munich, Germany

Funder

Schweizerischer Nationalfonds zur Förderung der Wissenschaftlichen Forschung

Deutsche Forschungsgemeinschaft

Bayerisches Staatsministerium für Bildung und Kultus, Wissenschaft und Kunst

Publisher

American Chemical Society (ACS)

Subject

Mechanical Engineering,Condensed Matter Physics,General Materials Science,General Chemistry,Bioengineering

Link

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