Characterization of thin oxide-n itride double layers on silicon wafers by IR ellipsometry

Author:

Weidner M.,Röseler A.

Publisher

Wiley

Subject

Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference12 articles.

1. Infrared spectroscopic ellipsometry using a Fourier transform infrared spectrometer: Some applications in thin‐film characterization

2. , , and , Proc. Conf. Physik der Halbleiteroberfläche, Vol. 21, Ed. ZIE Berlin, 1990 (p. 67).

3. and , Ellipsometry and Polarized Light, North-Holland Publ. Co., Amsterdam 1977.

4. Ellipsometry with fourier transform spectrometer: An application to TaSi2 films

5. in: Handbook of Optical Constants of Solids, Ed. Academic Press, New York 1985.

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