GaN‐free transparent structure for ultraviolet light emitting diodes
Author:
Affiliation:
1. NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3‐1, Morinosato‐wakamiya, Atsugi‐shi, Kanagawa pref., 243‐0198, Japan
Publisher
Wiley
Link
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/pssc.200304091
Reference20 articles.
1. S.NakamuraandG.Fasol The Blue Laser Diode Springer Berlin 1997.
2. Microwave operation of GaN/AlGaN-doped channel heterostructure field effect transistors
3. Step-Flow Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of GaN on SiC Substrates
4. Step-flow MOVPE of GaN on SiC substrates
5. Ten-Milliwatt Operation of an AlGaN-Based Light Emitting Diode Grown on GaN Substrate
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