Point Defects and Impurities in III-Nitride Bulk and Thin Film Heterostructures
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Publisher
Elsevier
Reference43 articles.
1. Impact of deep levels on the electrical conductivity and luminescence of gallium nitride codoped with carbon and silicon;Armstrong;J. Appl. Phys.,2005
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4. Ab initio shallow acceptor levels in gallium nitride;Fiorentini,1996
5. First-principles calculations for point defects in solids;Freysoldt;Rev. Mod. Phys.,2014
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1. Role of RF power in growth and characterization of RF magnetron sputtering GaN/glass thin film;Emerging Materials Research;2019-09-01
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