Other emerging memories
Author:
Publisher
Elsevier
Reference87 articles.
1. Scalability of voltage-controlled filamentary and nanometallic resistance memory devices;Lu;Nanoscale,2017
2. Sub-nanosecond switching of a tantalum oxide memristor;Torrezan;Nanotechnology,2011
3. Metal–oxide RRAM;Wong;Proc. IEEE,2012
4. A fast, high-endurance and scalable non-volatile memory device made from asymmetric Ta2O(5-x)/TaO(2-x) bilayer structures;Lee;Nat. Mater.,2011
5. HfOx-based vertical resistive switching random access memory suitable for bitcost-effective three-dimensional cross-point architecture;Yu;ACS Nano,2013
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