Fundamentals of CTE-matched QST® substrate technology

Author:

Odnoblyudov Vladimir,Aktas Ozgur,Basceri Cem

Publisher

Elsevier

Reference9 articles.

1. Commercialization of high 600V GaN-on-silicon power devices;Parikh,2014

2. Effect of AlN/GaN superlattice buffer on the strain state in GaN-on-Si(111) system;Ni;Jpn. J. Appl. Phys.,2015

3. 200mm GaN power—technology status on QST® platform;Odnoblyudov,2019

4. Electrothermal evaluation of thick GaN epitaxial layers and AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on large-area engineered substrates;Anderson;Appl. Phys. Express,2017

5. Lateral GaN JFET devices on 200 mm engineered substrates for power switching applications;Anderson,2018

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