Molecular Beam Epitaxy as a Mass Production Enabling Technology for Electronic/Optoelectronic Devices
Author:
Publisher
Elsevier
Reference13 articles.
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3. Bulk InAsxSb1-x nBn photodetectors with greater than 5μm cutoff on GaSb;Baril;Appl. Phys. Lett.,2016
4. 12.5 nm base pseudomorphic heterojunction bipolar transistors achieving fT=710GHz and fMAX=340GHz
5. In situ monitoring and control for MBE growth of optoelectronic devices;Jackson;IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics,1997
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