High-speed InAs quantum dot photodetectors for data/telecom
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Publisher
Elsevier
Reference177 articles.
1. Growth of single domain GaAs layer on (100)-oriented Si substrate by MOCVD;Akiyama;Jpn. J. Appl. Phys.,1984
2. Epitaxial growth of antiphase boundary free GaAs layer on 300mm Si(001) substrate by metalorganic chemical vapour deposition with high mobility;Alcotte;APL. Mater.,2016
3. Effects of Si doping on normal incidence InAs/In0.15Ga0.85As dots-in-well quantum dot infrared photodetectors;Attaluri;J. Appl. Phys.,2006
4. Theoretical analysis of electron-hole alignment in InAs-GaAs quantum dots;Barker;Phys. Rev. B,2000
5. Systematic study of different transitions in high operating temperature quantum-dots-in-a-well photodetectors;Barve;Appl. Phys. Lett.,2010
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