Activation efficiency characteristics in P and Ge-doped In0.5Ga0.5P epilayers
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Condensed Matter Physics,General Chemistry
Reference28 articles.
1. AlGaInP visible laser diodes grown on misoriented substrates
2. Disorder/order/disorder Ga0.5In0.5P visible light‐emitting diodes
3. Short-wavelength InGaAlP visible laser diodes
4. Comparison of single‐ and double‐heterostructure AlGaAs/InGaP red light‐emitting diodes prepared by liquid‐phase epitaxy
5. Molecular beam epitaxial growth of InGaAlP visible laser diodes operating at 0.66–0.68 μm at room temperatures
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1. Ellipsometric Study of Te and Ge Co-Doped In0.5Ga0.5P Alloys;physica status solidi (a);2001-04
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