Conduction-band-edge variations of pseudomorphic alloys on (110) Si and Ge substrates
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Condensed Matter Physics,General Chemistry
Reference21 articles.
1. Photoluminescence of Tensile Strained, Exactly Strain Compensated, and Compressively StrainedSi1−x−yGexCyLayers on Si
2. Measurement of band offsets in Si/Si[sub 1−x]Ge[sub x] and Si/Si[sub 1−x−y]Ge[sub x]C[sub y] heterojunctions
3. Fabrication and band alignment of pseudomorphic Si1 − C , Si1 − − Ge C and coupled quantum well structures on Si substrates
4. Intersubband absorption in Si/Si1−x−yGexCy quantum wells
5. Normal‐incidence epitaxial SiGeC photodetector near 1.3 μm wavelength grown on Si substrate
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